ترانزیستور در سال 1947 در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند . شبکه های تلفن نیز به صد ها هزار رله مکانیکی برای اتصال مدارات به همدیگر نیاز داشتند تا شبکه بتواند سر پا بایستد و چون این رله های مکانیکی بودند لازم بود برای عملکرد مطلوب همیشه تمیز باشند . در نتیجه نگه داری و سرویس آنها مشکل و پر هزینه بود. با ظهور ترانزیستور قیمت ها نسبت به زمان استفاده از لامپ خلاء شکسته شد و بهبودی زیادی در کیفیت شبکه های تلفن حاصل گردید 1- مقدمه 2- انواع 3- شناسایی پایه های ترانزیستور: 4- تست ترانزیستور 5- نام گذاری یا کدگذاری ترانزیستورها 6- & ...
ترانزیستور در سال 1947 در آزمایشگاه های بل هنگام تحقیق برای تقویت کننده های بهتر و یافتن جایگزینی بهتر برای رله های مکانیکی اختراع شد.لوله های خلاء، صوت و موسیقی را در نیمه اول قرن بیستم تقویت کرده بودنداما توان زیادی مصرف می کردند و سریعا می سوختند . شبکه های تلفن نیز به صد ها هزار رله مکانیکی برای اتصال مدارات به همدیگر نیاز داشتند تا شبکه بتواند سر پا بایستد و چون این رله های مکانیکی بودند لازم بود برای عملکرد مطلوب همیشه تمیز باشند . در نتیجه نگه داری و سرویس آنها مشکل و پر هزینه بود. با ظهور ترانزیستور قیمت ها نسبت به زمان استفاده از لامپ خلاء شکسته شد و بهبودی زیادی در کیفیت شبکه های تلفن حاصل گردید 1- مقدمه 2- انواع 3- شناسایی پایه های ترانزیستور: 4- تست ترانزیستور 5- نام گذاری یا کدگذاری ترانزیستورها 6- & ...
این محصول در قالب پاورپوینت (power point) و قابل ویرایش در 20 اسلاید تهیه شده است. در بخش زیر برای اطلاع بیشتر از محتویات این پاورپوینت و اطمینان از خرید، مطالب چند اسلاید آورده شده است. با مطالعه این بخش با اطمینان بیشتر خرید کنید. لینک دانلود پایین صفحه ترانزیستور اثر میدان Field Effect Transistor کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود. ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آنها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آنها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد ...
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل : .ppt ( قابل ویرایش و آماده پرینت ) تعداد اسلاید : 20 اسلاید قسمتی از متن .ppt : ترانزیستورهای اثر میدان (FET) ترانزیستور اثر میدان Field Effect Transistor کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود. ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آنها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آنها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد تعریف اگر قطعه ای سیلیکن با ناخالصی نوع n به دو سر یک باتری وصل کنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیکن در مدار جاری می شود بایاس ترانزیستور و نحوه کارکرد آن اگر هر سه پایه سورس و درین را اتصال کوتاه کنیم هیچ جریانی از کانال نمی گذرد و دو ناحیه P و n توسط ناحیه ...
فرمت فایل : پاورپوینت قابل ویرایش تعداد اسلاید: 20 قسمتی از پاورپوینت : کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود. ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آنها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آنها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد اگر قطعه ای سیلیکن با ناخالصی نوع n به دو سر یک باتری وصل کنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیکن در مدار جاری می شود ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET) به دلیل افزایش جریان نشتی گیت – سورس با افزایش دمای محیط و کاهش مقاومت ورودی آن گیت ترانزیستور با یک لایه اکسید سیلیکون از کانال جدا شده و هیچ جریانی از آن عبور نمی ک ...