پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

فرمت فایل : پاورپوینت قابل ویرایش      تعداد اسلاید: 20   قسمتی از پاورپوینت :     کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود. ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد     اگر قطعه ای سیلیکن با ناخالصی نوع n به دو سر یک باتری وصل کنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیکن در مدار جاری می شود   ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET) به دلیل افزایش جریان نشتی گیت – سورس با افزایش دمای محیط و کاهش مقاومت ورودی آن  گیت ترانزیستور با یک لایه اکسید سیلیکون از کانال جدا شده و هیچ جریانی از آن عبور نمی ک ...