پاورپوینت

دانلود پاورپوینت

پاورپوینت

دانلود پاورپوینت

جزوه نانو الکترونیک - دکتر صدیق ضیابری (جزوه اول)

جزوه نانو الکترونیک - دکتر صدیق ضیابری (جزوه اول)

  فناوری نانو یا نانو تکنولوژی رشته‌ای از دانش کاربردی و فناوری است که شاخه های گسترده‌ای را پوشش می‌دهد. موضوع اصلی آن نیز مهار ماده یا دستگاه‌های در ابعاد کمتر از یک میکرومتر، معمولاً حدود ۱ تا ۱۰۰ نانو متر است. در واقع نانو تکنولوژی فهم و به کارگیری خواص جدیدی از مواد و سیستمهایی در این ابعاد است که اثرات فیزیکی جدیدی عمدتا متاثر از غلبه خواص کوانتومی بر خواص کلاسیک از خود نشان می‌دهند.   نانوفناوری یک دانش به شدت میان‌رشته‌ای است و به رشته‌هایی چون پزشکی، دامپزشکی، زیست شناسی، فیزیک کاربردی، مهندسی مواد، ابزارهای نیم رسانا، شیمی ابرمولکول و حتی مهندسی مکانیک، مهندسی برق و مهندسی شیمی نیز مربوط می‌شود. نانو تکنولوژی می‌تواند به عنوان ادامهٔ دانش کنونی به ابعاد نانو یا طرح‌ریزی دانش کنونی بر پایه‌هایی جدیدتر و امروزی‌تر باشد. می‌توان موردهای زیر را شاخه‌های بنیادین دانش نانوفناوری دانست:   نانو روکش ها‌ نانو مواد نانو پودرها نانو لوله ها (نانو تیوب‌ها) نانو کامپوزیت‌ها ...

ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, th ...

ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, th ...

مجموعه کتابخانه ترانزیستورها برای نرم افزار HSPICE در ابعاد 45 و 32 نانو متر و ترانیستورهای نانو لوله کربن CNTFET

مجموعه کتابخانه ترانزیستورها برای نرم افزار HSPICE در ابعاد 45 و 32 نانو متر و ترانیستورهای نانو لوله کربن CNTFET

مجموعه کاملی از کتابخانه های ترانزیستورها  برای نرم افزار HSPICE در ابعاد 45 و 32 نانو متر و ترانزیستورهای نانو لوله کربن CNTFET به همراه یک مثال کاربردی جهت اندازی گیری توان و تاخیر   ...

ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, th ...

جزوه نانو الکترونیک - دکتر صدیق ضیابری (جزوه اول)

جزوه نانو الکترونیک - دکتر صدیق ضیابری (جزوه اول)

  فناوری نانو یا نانو تکنولوژی رشته‌ای از دانش کاربردی و فناوری است که شاخه های گسترده‌ای را پوشش می‌دهد. موضوع اصلی آن نیز مهار ماده یا دستگاه‌های در ابعاد کمتر از یک میکرومتر، معمولاً حدود ۱ تا ۱۰۰ نانو متر است. در واقع نانو تکنولوژی فهم و به کارگیری خواص جدیدی از مواد و سیستمهایی در این ابعاد است که اثرات فیزیکی جدیدی عمدتا متاثر از غلبه خواص کوانتومی بر خواص کلاسیک از خود نشان می‌دهند.   نانوفناوری یک دانش به شدت میان‌رشته‌ای است و به رشته‌هایی چون پزشکی، دامپزشکی، زیست شناسی، فیزیک کاربردی، مهندسی مواد، ابزارهای نیم رسانا، شیمی ابرمولکول و حتی مهندسی مکانیک، مهندسی برق و مهندسی شیمی نیز مربوط می‌شود. نانو تکنولوژی می‌تواند به عنوان ادامهٔ دانش کنونی به ابعاد نانو یا طرح‌ریزی دانش کنونی بر پایه‌هایی جدیدتر و امروزی‌تر باشد. می‌توان موردهای زیر را شاخه‌های بنیادین دانش نانوفناوری دانست:   نانو روکش ها‌ نانو مواد نانو پودرها نانو لوله ها (نانو تیوب‌ها) نانو کامپوزیت‌ها ...